Лавинный пробой в транзисторах схемы
3.7. Пробой биполярного транзистора
Обычным биполярным транзисторам понадобилось почти полвека, чтобы преодолеть «барьер» во времени включения в 1 нс. Лишь к концу х годов, к примеру, в СССР был разработан транзисторный генератор наносекундных импульсов Г, обеспечивающий получение импульсов с амплитудой до 5 В на нагрузке 50 Ом амплитуда тока 0,1 А с временем нарастания 1 нс. Он был создан в Вильнюсском НИИ радиоизмерительных приборов. Позже уже в е годы там же был разработан генератор Г, обеспечивший, с применением специализированных гибридно-пленочных микросхем, получение на нагрузке 50 Ом импульсов со временем нарастания до 0,3 нс, но при уменьшенной до 2 В амплитуде. Медленное развитие скоростной импульсной техники может показаться странным на фоне появления в эти годы мощных СВЧ-биполярных а затем и полевых транзисторов с частотами в единицы и даже десятки гигагерц и уровнями рабочих напряжений в десятки вольт. Причины медленного роста быстродействия и импульсной мощности импульсных устройств носят фундаментальный характер.
Все полупроводниковые устройства способны работать в предельных режимах. Это давно известно и применяется на практике. Примером может служить работа транзистора в лавинном режиме или как еще говорят в режиме лавинного пробоя коллекторного перехода транзистора. Исследование этого явления привело к созданию отдельного класса транзисторов — лавинных транзисторов.
- Этот документ ноутбук системы Mathematica 4 написан в порыве ностальгии. Он подготовлен по результатам первых научных работ автора конец х годов , когда автор лишь мечтал о подготовке своих книг и занимался тем, на что направлена любая серьезная научная работа - выявлением новых закономерностей окружающего нас мира, в том числе мира устройств, созданных человеком.
- Лавинные транзисторы по сравнению с обычными плоскостными биполярными транзисторами не имеют существенных структурных или конструктивных особенностей. Название "лавинный" относится в основном к их специфическому режиму работы , когда используется ударная ионизация в коллекторном переходе и в результате получаютсяS-образные неоднозначные по напряжению выходные характеристики при включении по схеме с ОЭ рис.
- Регистрация Вход. Ответы Mail.
- RU доступ к данной странице для анонимных пользователей с IP-адреса
- Эта область характеризуется явным пробоем, который является явлением аналогичным разряду Таунсенда для газов и отрицательному сопротивлению.
- Меню сайта Главная страница. Мастера в вашем городе.
- Физические причины, вызывающие пробой переходов транзистора, те же, что и в полупроводниковом диоде см.
- Ниже представлены основные схемы включения транзистора, задающие область лавинного режима работы. Перейдем к оценке лавинного пробоя в транзисторах.
- Но по некоторым характеристикам они отличаются от обычных полевых транзисторов MOSFET благодаря необычной структуре дрейфовой области, которая обеспечивает пятикратное уменьшение сопротивления кристалла в открытом состоянии для транзисторов на В. На рис.
Для тех, кто практикует ремонт или сборку своих или чужих конструкций, реальные параметры полупроводников имеют решающее значение. А с учётом наличия в продаже радиодеталей, не соответствующих заявленным параметрам, - тем более. Не все они могут быть проверены с помощью обычного мультиметра. Например, проверка такого важного параметра, как максимальное допустимое напряжение коллектор-эмиттер сток-исток для транзисторов, или максимальное обратное напряжение для диодов им недоступно. В этом случае может помочь предлагаемая конструкция по схеме ниже. В основе работы устройства заложен принцип обратимого неразрушающего пробоя.
